Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Membre actif
6 Ans
Accueil / produits / Transistors de puissance d'astuce /

Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +

Contacter
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
Contacter

Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +

Demander le dernier prix
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :A92
VCBO :- 310V
VCEO :- 305V
VEBO :-5V
Product name :silicon semiconductor triode type
Tj :150℃
Case :Tape/Tray/Reel
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A92 (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Haute tension

 

 

REPÉRAGE

  • Code d'A92=Device
  • Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal
  • Z=Rank de hFE
  • XXX=Code

 

Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
A92 TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
A92-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unités
VCBO Tension de collecteur-base - 310 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur - 305 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur - continu - 200 mA
Missile aux performances améliorées Courant de collecteur - pulsé -500 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 625 mW
Tj La température de jonction 150
Tstg La température d'orage de St -55~150
RӨJA Résistance thermique, jonction à ambiant 200 ℃ /mW
RӨJC Résistance thermique, jonction au cas 83,3 ℃ /mW

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-100uA, C.-À-D. =0 -310     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=-1mA, IB=0 -305     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =-100ΜA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -200 V C.-À-D. =0     -0,25 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 μA

 

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE= -10 V, IC=- 1 mA 60      
  hFE (2) VCE= -10V, IC = -10 mA 80   250  
  hFE (3) VCE= -10 V, IC= -80 mA 60      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= -20 mA, IB= -2 mA     -0,2 V
Tension de saturation d'émetteur de base VSOYEZ (reposé) IC= -20 mA, IB= -2 mA     -0,9 V
Fréquence de transition fT VCE= -20 V, IC= -10 mA f = 30MHz 50     Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION DEFede h(2)

Rang A B C
Gamme 80-100 100- 200 200-250

 

 

 

 

Caractéristiques typiques

 

Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +

Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +

Bâti extérieur de changement à grande vitesse de commutateur de transistor d'A92 PNP +

 

 

 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Mots clés du produit:
Inquiry Cart 0