Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	310	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	305	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	5	V
I _C	Collecteur Curren t - continu	200	mA
I CM	Courant de collecteur - pulsé	500	mA
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	625	mW
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55-150	℃
RӨJA	Résistance thermique, jonction à ambiant	200	℃ /mW
RӨJC	Résistance thermique, jonction au cas	83,3	℃ /mW

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=100uA, C.-À-D. =0	310			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=1mA, I_B=0	305			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. =100ΜA, I_C=0	5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=200V, C.-À-D. =0			0,25	μA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=10V, I_C=1mA	60
	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=10mA	80		250
	hFE (3)	V_CE=10V, I_C=30mA	75
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,2	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,9	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=20V, I_C=10mA, f=30MH_Z	50			Mégahertz

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

RANG	A	B	C
GAMME	100-150	150-200	200-300

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Inquiry Cart 0

Type de triode de semi-conducteur de silicium de transistors de puissance d'astuce de TO-92 A42