Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	600	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	400	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	0,8	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	0,9	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55 \| 150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=100μA, C.-À-D. =0	600			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=1mA, I_B=0	400			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = 100μA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= 600V, C.-À-D. =0			100	µA
	ICEO	V_CE= 400V, I_B=0			100	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			100	µA
Gain urrent de C.C c	hFE1	V_CE= 10 V, I_C=200mA	9		40
	hFE2	V_CE= 10 V, I_C=0.25mA	5
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=200mA, I_B=40mA			0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=200mA, I_B=40mA			1,1	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA f =1MHz	5			Mégahertz
Temps de chute	t_f	I_C=1A, I_B1=-IB2=0.2A V_CC=100V			0,5	µs
Temps d'entreposage	t_s				2,5	µs

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Gamme

9-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
Φ		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Mots clés du produit:

Inquiry Cart 0

Tension de saturation élevée du circuit VCEO 400V de transistor de la puissance 3DD13002B basse