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Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13003
VCBO :700v
VCEO :400V
Emitter-Base Voltage :9V
Product name :semiconductor triode type
Collector Dissipation :1.25W
Type :Triode Transistor
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TO-251-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13003 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 700 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur - continu 1,5 A
PC Dissipation de collecteur 1,25 W
TJ, Tstg Jonction et température de stockage -55~+150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) Ic= 10 mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 700V, C.-À-D. =0     1 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tension d'émetteur de base VBE IE= 2A     3 V

 

Fréquence de transition

 

pi

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Mégahertz

Temps de chute tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang              
Gamme 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICATION des solides totaux

 

Rang A1 A2 B1 B2
Gamme 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 


Caractéristiques typiques

 

 Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuceCommutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuceCommutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce
 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TYPE. 0,091 TYPES.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

Mots clés du produit:
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