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Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :3DD13002
La température de stockage :-55~150℃
TJ :℃ 150
Dissipation de puissance de collecteur :1.25W
Nom du produit :type de triode de semi-conducteur
Courant de collecteur :3.5A
Type :Transistor de triode
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TO-251-3L/TO-252-2L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13002 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 1 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= 100μA, C.-À-D. =0 600     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= 1mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 6     V

 

Courant de coupure de collecteur

ICBO VCB= 600V, C.-À-D. =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, C.-À-D. =0     100 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

Gain actuel de C.C

hFE1 VCE= 10 V, IC= 200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25mA 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VSOYEZ (reposé) IC=200mA, IB= 40mA     1,1 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Mégahertz

Temps de chute tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage ts       2,5 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Gamme 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Caractéristiques typiques

 

 Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002
 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TYPE. 0,091 TYPES.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

 

 

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