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circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :2N3906
Nom du produit :type de triode de semi-conducteur
Application :l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
Matériau :de silicium
tension d'Émetteur-base :6v
Affaire :Bande/plateau/bobine
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N3906 (NPN).

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE

Transistor planaire épitaxial de silicium de Ÿ PNP pour le changement et les applications d'amplificateur

Ÿ en tant que type complémentaire, le transistor 2N3904 de NPN est recommandé

Ce transistor de Ÿ est également disponible dans le cas SOT-23 avec le type la désignation MMBT3906

 

 

circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25ć sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -40 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Collecteur Actuel-continu -0,2 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,625 W
TJ La température de jonction 150 ć
Tstg Température de stockage -55~150 ć

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = -10ΜA, C.-À-D. =0 -40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC =-1MA, IB=0 -40     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -10ΜA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -40 V, C.-À-D. =0     -0,1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEX VCE= -30 V, Veb() =-3V     -50 Na
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 µA

 

Gain actuel de C.C

hFE1 VCE=-1 V, IC= -10MA 100   400  
  hFE2 VCE=-1 V, IC= -50MA 60      
  hFE3 VCE=-2 V, IC= -100MA 30      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= -50MA, IB= -5MA     -0,4 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= -50MA, IB= -5MA     -0,95 V
Fréquence de transition fT

VCE=-20V, IC= -10MA

f = 100MHz

250     Mégahertz
Temps de retard le TD

VCC=-3V, VBE=-0.5V,

IC=-10mA, IB1=-1mA

    35 NS
Temps de montée TR       35 NS
Temps d'entreposage solides totaux

VCC=-3V, Ic=-10mA

IB1=IB2=-1mA

    225 NS
Temps de chute tf       75 NS

 

 

 


Caractéristiques typiques

 

circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile

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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
 
circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile


Disposition de protection suggérée par TO-92
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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