Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	60	V
V PRÉSIDENT	Tension de collecteur-émetteur	50	V
V EBO	Tension d'Émetteur-base	5	V
I _C	Courant de collecteur - continu	150	mA
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	400	mW
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	La température d'orage de St	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=1mA, C.-À-D. =0	60			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C=100μA, I_B=0	50			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. =100 μA, I_C=0	5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=60V, C.-À-D. =0			0,1	μA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	VCE=45V, IB=0			0,1	μA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=6V, I_C=1mA	70		700
	hFE (2)	V_CE=6V, I_C=0.1mA	40
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=100mA, I_B=10mA			0,3	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=100mA, I_B=10mA			1	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=6V, I_C=10mA, f=30MHz	200			Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur	Épi	V_CB=10V, C.-À-D. =0, f=1MHz			3,0	PF
Chiffre de bruit	N-F	VCE=6V, IC=0.1mA RG=10kΩ, f=1MHz			10	DB

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	O	Y	LE GR	BL
Gamme	70-140	120-240	200-400	350-700

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

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Transistors de puissance d'astuce de TO-92 C945 VEBO 5V NPN à faible bruit