Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	60	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	40	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	0,2	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	0,625	W
T_J	La température de jonction	150	Š
Tstg	Température de stockage	-55-150	Š

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=10ΜA, C.-À-D. =0	60			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= 1mA, I_B=0	40			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = 10µA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=60V, C.-À-D. =0			0,1	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEX	V_CE=30V, V_eb() =3V			0,05	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= 5V, I_C=0			0,1	µA
Gain actuel de C.C	hFE1	V_CE=1V, I_C=10mA	100		400
	hFE2	V_CE=1V, I_C=50mA	60
	hFE3	V_CE=1V, I_C=100mA	30
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=50mA, I_B=5mA			0,3	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=50mA, I_B=5mA			0,95	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=20V, I_C=10mA, f=100MHz	300			MH_Z
Temps de retard	t_d	V_CC=3V, V_BE=0.5V, I_C=10mA, I_B1=1mA			35	NS
Temps de montée	t_r	V_CC=3V, V_BE=0.5V, I_C=10mA, I_B1=1mA			35	NS
Temps d'entreposage	t_s	V_CC=3V, I_C=10mA I_B1=IB2=1mA			200	NS
Temps de chute	t_f	V_CC=3V, I_C=10mA I_B1=IB2=1mA			50	NS

CLASSIFICATION de h_FE1

Rang	O	Y	G
Nge de Ra	100-200	200-300	300-400

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015