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Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :B772
Dissipation de puissance :1.5W
Caractéristiques :Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
Dissipation de collecteur :1.25W
Utilisation :Composants électroniques
Tension de collecteur-base :40V
Affaire :Bande/plateau/bobine
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors B772 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

 

Commutation à vitesse réduite

 

 

 

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -6 V
IC Courant de collecteur - continu -3 A
PC Dissipation de collecteur 1,25 W
RӨJA Résistance thermique de jonction à ambiant 100 ℃/W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

ESTIMATIONS d'AXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO Ic=-100μA, C.-À-D. =0 -40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=-10mA, IB=0 -30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =-100 μA, IC=0 -6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-40 V, C.-À-D. =0     -1 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=-30 V IB=0     -10 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE=-2V, IC=-1A 60   400  
  hFE (2) VCE=-2V, IC=-100mA 32      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=-2A, IB=-0.2A     -0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=-2A, IB=-0.2A     -1,5 V

 

Fréquence de transition

pi

VCE=-5V, IC=-0.1A

f=10MHz

 

50

   

 

Mégahertz

 
  
 

CLASSIFICATION du hFE (1)

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320

200-400
 

 
 
 
Caractéristiques typiques
 


Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse

Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse

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Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
 
 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minimal. Maximum. Minimal. Maximum.
A -- 1,800 -- 0,071
A1 0,020 0,100 0,001 0,004
A2 1,500 1,700 0,059 0,067
b 0,660 0,840 0,026 0,033
b1 2,900 3,100 0,114 0,122
c 0,230 0,350 0,009 0,014
D 6,300 6,700 0,248 0,264
E 6,700 7,300 0,264 0,287
E1 3,300 3,700 0,130 0,146
e 2,300 (BSC) 0,091 (BSC)
L 0,750 -- 0,030 --
θ 10° 10°

 
Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
 
 
 Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
 
Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
 
Bande et bobine de SOT-89-3L
Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse
 
 
 

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