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2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :2SA1015
Nom du produit :type de triode de semi-conducteur
Application :l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
Matériau :de silicium
tension d'Émetteur-base :6v
Affaire :Bande/plateau/bobine
VCBO :-50V
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2SA1015 (PNP)

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE

Dissipation de puissance de Ÿ

 

 

 

REPÉRAGE

Code d'A1015=Device

Le solide dot=Green le dispositif composé de moulage, si aucun, le dispositif normal

Y=Rank de hFE, XXX=Code

2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
2SA1015 TO-92 Le volume 10000
2SA1015-TA TO-92 Bande 2000

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25Š sauf indication contraire)

 

Symbole Mètre de Para Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -50 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -50 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur - continu -150 mA
PD Dissipation de puissance de collecteur 400 mW
R0 JA Le courant ascendant résistent à l'ance de la jonction à ambiant 312 Š/W
Tj La température de jonction 150 Š
Tstg La température d'orage de St -55 ~+150 Š

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC= -100ΜA, C.-À-D. =0 -50     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= -0.1MA, IB=0 -50     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -100ΜA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -50V, C.-À-D. =0     -0,1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= -50V, IB=0     -0,1 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= -5V, IC=0     -0,1 µA
Gain actuel de C.C hFE VCE= -6V, IC= -2MA 70   700  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= -100MA, IB= -10MA     -0,3 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= -100MA, IB= -10MA     -1,1 V
Fréquence de transition fT VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz 80     Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB=-10V, C.-À-D. =0, f=1MHz     7 PF
Chiffre de bruit N-F VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK     6 DB

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang O Y LE GR BL
Gamme 70-140 120-240 200-400 350-700

 
 
Caractéristiques typiques
 
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

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 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L
 
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP


Disposition de protection suggérée par TO-92
2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

 

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

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