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Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13005HD55
Collector Power Dissipation :1.5W
Junction Temperature :150 ℃
VCBO :600V
Product name :semiconductor triode type
Collector Current :3.5A
Type :Triode Transistor
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TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13005HD55 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de commutation de puissance de Ÿ

Bonne haute température de Ÿ

Basse tension de saturation de Ÿ

Commutation à grande vitesse de Ÿ

 

 

REPÉRAGE

Code du logo 13005HD55=Device de JCET

 

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode d'emballage Quantité de paquet
3DD13005HD55 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube


 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 800 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 450 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur 3,5 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,5 W
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 83,3 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Merci =25 Š sauf indication contraire


 

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=1mA, C.-À-D. =0 800     V
Tension claque de collecteur-émetteur V (BR) CEO* IC=10mA, IB=0 450     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=700V, C.-À-D. =0     100 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=450V, IB=0     100 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=9V, IC=0     100 μA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) * VCE=5V, IC=1A 10   40  
hFE (2) * VCE=5V, IC=5mA 10      
hFE (3) * VCE=5V, IC=2A 5      

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

VCE (reposé) 1 IC=1A, IB=200mA     0,3 V
VCE (reposé) 2 IC=2A, IB=500mA     0,6 V

 

Tension de saturation d'émetteur de base

VBE (reposé) 1 IC=2A, IB=500mA     1,2 V
VBE (reposé) 2 IC=500mA, IB=100mA     1 V
tension en avant d'Émetteur-collecteur L'ECDE VF IC=2A     2 V
Fréquence de transition fT VCE=10V, IC=500mA 5     Mégahertz
Temps d'entreposage solides totaux IC=250mA (UI9600)     5 µs

 

 


Caractéristiques typiques

 

 Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600VType de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V
 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

 

 

Mots clés du produit:
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