Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	-60	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	-50	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	-5	V
I _C	Courant de collecteur - continu	-100	mA
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	250	mW
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Jonction et température de stockage	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C= -50UA, C.-À-D. =0	-60			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= -1MA, I_B=0	-50			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = -50UA, I_C=0	-5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= -60V, C.-À-D. =0			-0,1	uA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= -5 V, I_C=0			-0,1	uA
Gain actuel de C.C	hFE	V_CE= -6V, I_C= -1MA	90	200	600
Tension de saturation de collecteur-émetteur	V_CE (reposé)	I_C= -100mA, I B=- 10mA		-0,18	-0,3	V
Tension d'émetteur de base	VBE	V_CE=-6V, I_C=-1.0mA	-0,58	-0,62	-0,68	V
Fréquence de transition	pi	V_CE=-6V, I_C=-10mA	100			Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur	Épi	V_CB=-10V, C.-À-D. =0, f=1MH_Z			6	PF
Chiffre de bruit	N-F	V_CE=-6V, I_C=-0.3mA, Rg=10kΩ, f=100H_Z			20	DB

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	R	Q	P	K
Gamme	90-180	135-270	200-400	300-600

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Inquiry Cart 0

Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors