Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	40	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	30	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	3	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	1,25	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55-150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) _CBO	I_C = 100μA, C.-À-D. =0	40			V
Tension claque de collecteur-émetteur	_PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) _EBO	C.-À-D. = 100μA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= 40 V, C.-À-D. =0			1	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE= 30 V, I_B=0			10	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			1	µA
Gain actuel de C.C	hFE	V_CE= 2 V, I_C= 1A	60		400
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE= 5V, I_C=0.1A f =10MHz		90		Mégahertz

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	R	O	Y	LE GR
Gamme	60-120	100-200	160-320	200-400

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
Symbole	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TYPE		0,090 TYPES
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

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Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v