Name: Type matériel de transistor de triode de silicium des transistors de puissance de lastuce MJE13003 NPN
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :MJE13003

Type :Triode Transistor

Material :Silicon

Power mosfet transistor :TO-126 Plastic-Encapsulate

Product name :semiconductor triode type

Tj :150℃

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TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MJE13003 (NPN)

CARACTÉRISTIQUE

Applications de commutation de puissance de Ÿ

REPÉRAGE

Code de MJE13003=Device

Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce	Paquet	Méthode d'emballage	Quantité de paquet
MJE13003	TO-126	Le volume	200pcs/Bag
MJE13003-TU	TO-126	Tube	60pcs/Tube

ESTIMATIONS MAXIMUM (T_un =25 Š sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	600	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	420	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	7	V
I_C	Courant de collecteur - continu	0,2	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	0,75	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55 ~150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C= 0.1mA, C.-À-D. =0	600			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= 1mA, I_B=0	400			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. =0.1MA, I_C=0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=600V, C.-À-D. =0			100	uA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE=400V, I_B=0			100	uA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			10	uA
Gain actuel de C.C	hFE (1)*	V_CE=10V, I_C=200mA	20		30
Gain actuel de C.C	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=250μA	5
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé) 1	I_C=200mA, I_B=40mA			0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=200mA, I_B=40mA			1,1	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA, f=1MHz	5			Mégahertz
Temps de chute	t_f	I_C=100mA			0,5	μs
Temps d'entreposage	tS*	I_C=100mA	2		4	μs

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TYPE		0,090 TYPES
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Mots clés du produit:

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