Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	-40	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	-30	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	-6	V
I_C	Courant de collecteur - continu	-3	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	1,25	W
RӨJA	Résistance thermique de jonction à ambiant	100	℃/W
T_j	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55-150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Merci =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=-100μA, C.-À-D. =0	-40			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= -10MA, I_B=0	-30			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = -100ΜA, I_C=0	-6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= -40V, C.-À-D. =0			-1	μA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE=-30V, I_B=0			-10	μA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
Gain actuel de C.C	hFE	V_CE= -2V, I_C= -1A	60		400
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-1,5	V
Fréquence de transition	pi	V_CE= -5V, I_C=-0.1A f =10MHz	50	80		Mégahertz

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	R	O	Y	LE GR
Gamme	60-120	100-200	160-320	200-400

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TYPE		0,050 TYPES
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

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B772 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP