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Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :D882
Tension de collecteur-base :40V
Dissipation de puissance de collecteur :0.5W
tension d'Émetteur-base :6v
Application :l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
Le courant de collecteur a palpité :-0.3A
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Dissipation de puissance

 

Repérage : A94

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 3 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,5 W

 

RӨJA

Résistance thermique de jonction à ambiant

 

250

℃/W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = 100μA, C.-À-D. =0 40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC = 10mA, IB=0 30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 100μA, IC=0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= 40V, C.-À-D. =0     1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE= 30V, IB=0     10 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB= 6V, IC=0     1 µA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE=2V, IC= 1A 60   400  
  hFE (2) VCE=2V, IC= 100mA 32      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE= 5V, Ic=0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

Mégahertz

 
 

CLASSIFICATION DEFede h(1)

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 

Caractéristiques typiques

 

 

 

Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5WCommutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W

Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W

Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W

 

 

 


 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Réf. 0,061 Réf.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TYPE. 0,060 TYPES.
e1 3,000 TYPE. 0,118 TYPES.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L

 

Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W
 
Bande et bobine de SOT-89-3L
Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W
Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W
Commutation à grande vitesse de la dissipation de puissance de collecteur de transistor de puissance du silicium D882 0.5W
 
 
 

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