Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	-60	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	-60	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	-4	V
IC	Courant de collecteur	-500	mA
PC	Dissipation de puissance de collecteur	225	mW
RΘJA	Résistance thermique de jonction à ambiant	556	℃/W
Tj	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=0.1mA, C.-À-D. =0	40			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= 1mA. I_B=0	30			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. = 10μA, I_C=0	7			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB= 10V, C.-À-D. =0			0,1	μA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			0,1	μA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE= 2 V, I_C=1mA		200
	hFE (2)	V_CE= 2V, I_C = 500mA	230		800
	hFE (3)	V_CE= 2V, I_C =2A	150
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=3A, I_B=0.1A			1	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=6V, I_C=50mA		150		Mégahertz
Capacité	Épi	V_CB=20 V, C.-À-D. =0, f=1MH_Z			50	PF

CLASSIFICATION DE_Fede h₍₂₎

Rang	Q	R	S
Gamme	230-380	340-600	560-800

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TYPES		0,037 TYPES
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 RÉFÉRENCES		0,022 RÉFÉRENCES
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Bande et bobine de SOT-89-3L

Mots clés du produit:

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