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Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :B772
Tension de collecteur-base :-40v
La température de jonction :℃ 150
tension d'Émetteur-base :-5V
Application :l'alimentation d'énergie mobile a mené le contrôle de conducteur/moteur
La température de stockage :-55~150 ℃
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors B772 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

 

Commutation à vitesse réduite

 

Repérage : B772

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -6 V
IC Courant de collecteur - continu -3 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 0,5 W
RӨJA Résistance thermique, jonction à ambiant 250 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-100μA, C.-À-D. =0 -40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC= -10MA, IB=0 -30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -100ΜA, IC=0 -6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB= -40V, C.-À-D. =0     -1 μA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Gain actuel de C.C hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

Mégahertz

 
 
 

Caractéristiques typiques

 

 

Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

 

 


 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Réf. 0,061 Réf.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TYPE. 0,060 TYPES.
e1 3,000 TYPE. 0,118 TYPES.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 

 

 

 

CLASSIFICATION DEFede h

 

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 Caractéristiques typiques

 

Tension basse -5V NPN de commutation de B772 d'émetteur à haute tension de transistor

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