Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	-400	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	-400	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	-5	V
I_C	Courant de collecteur - continu	-0,2	A
Missile aux performances améliorées	Le courant de collecteur a palpité	-0,3	A
P_C	Dissipation de puissance de collecteur	0,5	W
T_J	La température de jonction	150	℃
Tstg	température de stockage	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C= -100ΜA, C.-À-D. =0	-400			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	I_C= -1MA, I_B=0	-400			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. =-100ΜA, I_C=0	-5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=-400V, C.-À-D. =0			-0,1	μA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	V_CE=-400V, I_B=0			-5	μA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB= -4V, I_C=0			-0,1	μA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=-10V, I_C=-10mA	80		300
	hFE (2)	V_CE=-10V, I_C=-1mA	70
	hFE (3)	V_CE=-10V, I_C=-100mA	60
	hFE (4)	V_CE=-10V, I_C=-50mA	80
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	I_C=-10mA, I_B=-1mA			-0,2	V
	VCE (reposé)	I_C=-50mA, I_B=-5mA			-0,3	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé)	I_C=-10mA, I_B= -1mA			-0,75	V
Fréquence de transition	f_T	V_CE=-20V, I_C=-10mA f =30MHz	50			Mégahertz

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	1,400	1,600	0,055	0,063
b	0,320	0,520	0,013	0,020
b1	0,400	0,580	0,016	0,023
c	0,350	0,440	0,014	0,017
D	4,400	4,600	0,173	0,181
D1	1,550 Réf.		0,061 Réf.
E	2,300	2,600	0,091	0,102
E1	3,940	4,250	0,155	0,167
e	1,500 TYPE.		0,060 TYPES.
e1	3,000 TYPE.		0,118 TYPES.
L	0,900	1,200	0,035	0,047

Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L

Bande et bobine de SOT-89-3L

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