Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	-80	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	-80	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	-4	V
IC	Courant de collecteur	-500	mA
PC	Dissipation de puissance de collecteur	225	mW
RΘJA	Résistance thermique de jonction à ambiant	555	℃/W
Tj	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	IC=-100ΜA, IE=0	-80			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT V (DE BR)	IC=-1mA, IB=0	-80			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	IE=-100ΜA, IC=0	-4			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	VCB=-80V, IE=0			-0,1	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	VCE=-60V, IB=0			-1	µA
tension claque d'Émetteur-base	IEBO	VEB=-4V, IC=0			-0,1	µA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	VCE=-1V, IC=-10mA	100		400
	hFE (2)	VCE=-1V, IC=-100mA	100
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé)	IC=-100mA, IB=-10mA			-0,25	V
Tension d'émetteur de base	VBE	VCE=-1V, IC=-100mA			-1,2	V
Fréquence de transition	pi	VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz	50			Mégahertz

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TYPES		0,037 TYPES
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 RÉFÉRENCES		0,022 RÉFÉRENCES
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Caractéristiques typiques

Mots clés du produit:

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