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A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :A42
Tension de collecteur-base :310V
tension d'Émetteur-base :5V
Tstg :-55~+150℃
Matériau :de silicium
Courant de collecteur :600 mA
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SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A42 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Basse tension de saturation de collecteur-émetteur

Tension claque élevée

 

Repérage : D965A

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 310 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 305 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur - continu 200 mA
Missile aux performances améliorées Courant de collecteur - pulsé 500 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 500 mW
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 250 ℃/W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=100ΜA, C.-À-D. =0 310     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=1mA, IB=0 305     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =100ΜA, IC=0 5     V

 

Courant de coupure de collecteur

ICBO VCB=200V, C.-À-D. =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (reposé) IC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Fréquence de transition fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Mégahertz

 

 

 
 

 Caractéristiques typiques

 

A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité

A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité

A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité

 

 

 

 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Réf. 0,061 Réf.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TYPE. 0,060 TYPES.
e1 3,000 TYPE. 0,118 TYPES.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité
 

 

Disposition de protection suggérée par SOT-89-3L

 

A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité
 
 
Bande et bobine de SOT-89-3L
A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité
A42 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance de NPN à forte intensité
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