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Performance à grande vitesse de transistor de commutation de MMBT4403 NPN haute 

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Performance à grande vitesse de transistor de commutation de MMBT4403 NPN haute 

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MMBT4403
FEATURE :Low Leakage
Power mosfet transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Product ID :MMBT4403
Type :Switching Diodesod
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SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MMBT4403 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

 Transistor de commutation

Repérage : 2T

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -40 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur -600 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 300 mW
RΘJA Résistance thermique de jonction à ambiant 417 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC=-100μA, C.-À-D. =0 -40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT V (DE BR) IC=-1mA, IB=0 -40     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. =-100ΜA, IC=0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB=-35V, C.-À-D. =0     -0,1 μA
Courant de coupure de collecteur ICEX VCE=-35V, VBE=0.4V     -0,1 μA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

 

Gain actuel de C.C

hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA 30      
  hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 60      
  hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 100      
  hFE4 VCE=-2V, IC=-150mA 100   300  
  hFE5 VCE=-2V, IC=-500mA 20      

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 

VCE (reposé)

IC=-150mA, IB=-15mA     -0,4 V
    IC=-500mA, IB=-50mA     -0,75 V

 

Tension de saturation d'émetteur de base

 

VBE (reposé)

IC=-150mA, IB=-15mA     -0,95 V
    IC=-500mA, IB=-50mA     -1,3 V
Fréquence de transition fT VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz 200     Mégahertz
Temps de retard td

VCC=-30V, VBE () =-0.5V

IC=-150mA, IB1=-15mA

    15 NS
Temps de montée tr       20 NS
Temps d'entreposage ts

VCC=-30V, IC=-150mA

IB1=IB2=-15mA

    225 NS
Temps de chute tf       60 NS

 
 
 
 
 
Characterisitics typique  
 Performance à grande vitesse de transistor de commutation de MMBT4403 NPN haute 

Performance à grande vitesse de transistor de commutation de MMBT4403 NPN haute 

Performance à grande vitesse de transistor de commutation de MMBT4403 NPN haute 
 

 

 

 

 
 
 
 Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
 
 
 
 

Mots clés du produit:
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