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Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :FMMT491
Type :Transistor de puissance de silicium
D'entité :Basse sur-résistance équivalente
Tension de collecteur-émetteur :60V
La température de stockage :-55~+150℃
Dissipation de puissance de collecteur :250mW
Courant maximal d'impulsion :2A
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SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors FMMT491 (NPN)
 
 

CARACTÉRISTIQUE
 

Basse sur-résistance équivalente

 

Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance

Repérage : 491

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

SymboleParamètreValeurUnité
VCBOTension de collecteur-base80V
VCEOTension de collecteur-émetteur60V
VEBOTension d'Émetteur-base5V
ICCourant de collecteur1A
Missile aux performances amélioréesCourant maximal d'impulsion2A
PCDissipation de puissance de collecteur250mW
RΘJARésistance thermique de jonction à ambiant500℃/W
TjLa température de jonction150
TstgTempérature de stockage-55~+150

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

ParamètreSymboleConditions d'essaiMinuteTypeMaximumUnité
Tension claque de collecteur-baseV (BR) CBOIC=100μA, C.-À-D. =080  V
Tension claque de collecteur-émetteurV PRÉSIDENT (DE BR)1IC=10mA, IB=060  V
tension claque d'Émetteur-baseV (BR) EBOC.-À-D. =100ΜA, IC=05  V
Courant de coupure de collecteurICBOVCB=60V, C.-À-D. =0  0,1μA
Courant de coupure d'émetteurIEBOVEB=4V, IC=0  0,1μA

 
 
 

Gain actuel de C.C

hFE (1)VCE=5V, IC=1mA100   
 hFE (2) 1VCE=5V, IC=500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=5V, IC=1A80   
 hFE (4) 1VCE=5V, IC=2A30   

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

VCE (reposé) 1 1IC=500mA, IB=50mA  0,25V
 VCE (reposé) 2 1IC=1A, IB=100mA  0,5V
Tension de saturation d'émetteur de baseVBE (reposé) 1IC=1A, IB=100mA  1,1V
Tension d'émetteur de base

1

VBE

VCE=5V, IC=1A  1V
Fréquence de transitionpiVCE=10V, IC=50mA, f=100MHz150  Mégahertz
Capacité de sortie de collecteurÉpiVCB=10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Mesuré dans des conditions pulsées, impulsion width=300μs, devoir cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics typique  
 
 
Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance
Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance
Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance
Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance
 
 
 
 
 
 
 Dimensions d'ensemble de paquet
 

SymboleDimensions dans les millimètresDimensions en pouces
 MinuteMaximumMinuteMaximum
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TYPES0,037 TYPES
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 RÉFÉRENCES0,022 RÉFÉRENCES
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Équivalent à haute tension de transistor de puissance de FMMT491 NPN bas sur la résistance
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