Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	80	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	60	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	5	V
IC	Courant de collecteur	1	A
Missile aux performances améliorées	Courant maximal d'impulsion	2	A
PC	Dissipation de puissance de collecteur	250	mW
RΘJA	Résistance thermique de jonction à ambiant	500	℃/W
Tj	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55~+150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	I_C=100μA, C.-À-D. =0	80			V
Tension claque de collecteur-émetteur	V PRÉSIDENT (DE BR)1	I_C=10mA, I_B=0	60			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	C.-À-D. =100ΜA, I_C=0	5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	V_CB=60V, C.-À-D. =0			0,1	μA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	V_EB=4V, I_C=0			0,1	μA
Gain actuel de C.C	hFE (1)	V_CE=5V, I_C=1mA	100
	hFE (2) 1	V_CE=5V, I_C=500mA	100		300
	hFE (3) 1	V_CE=5V, I_C=1A	80
	hFE (4) 1	V_CE=5V, I_C=2A	30
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (reposé) 1 1	I_C=500mA, I_B=50mA			0,25	V
	VCE (reposé) 2 1	I_C=1A, I_B=100mA			0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (reposé) 1	I_C=1A, I_B=100mA			1,1	V
Tension d'émetteur de base	1 VBE	V_CE=5V, I_C=1A			1	V
Fréquence de transition	pi	V_CE=10V, I_C=50mA, f=100MHz	150			Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur	Épi	V_CB=10V, f=1MHz			10	PF

Mesuré dans des conditions pulsées, impulsion width=300μs, devoir cycle≤2%.

Characterisitics typique

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TYPES		0,037 TYPES
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 RÉFÉRENCES		0,022 RÉFÉRENCES
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

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