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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrDavid Lee

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Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Demander le dernier prix

Point d'origine :Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs

Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte

Délai de livraison :1 - 2 semaines

Conditions de paiement :L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour

Numéro de type :MMBD1501A

Type :COMMUTATION DIODESOD

D'entité :Basse fuite

Transistor de transistor MOSFET de puissance :SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes

Tension de blocage de C.C :200V

Identité de produit :MMBD1501A

Dissipation de puissance :350mW

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La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes

CARACTÉRISTIQUE

basse fuite de 

conductibilité élevée de 

Repérage : A11

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Characterisitics typique

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TYPES		0,037 TYPES
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 RÉFÉRENCES		0,022 RÉFÉRENCES
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

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