produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Membre actif
6 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / Dual Switching Diode /

Palladium à grande vitesse 150mw de tension en avant de diode de commutation 1SS184 bas

Catégories de produits

Transistor de puissance de transistor MOSFET

 [236]

Transistors de puissance d'astuce

 [60]

Transistor de puissance de silicium

 [38]

Double diode de changement

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Transistor MOSFET à canal double

 [20]

Diode de redresseur rapide de récupération

 [12]

Diode Zener de puissance

 [12]

Pont redresseur de Schottky

 [20]

Diode de redresseur à haute tension

 [30]

Triode de semi-conducteur

 [18]

Stabilisateur IC de tension

 [28]
Contacter
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
Coordonnées du contact
Contacter
China Palladium à grande vitesse 150mw de tension en avant de diode de commutation 1SS184 bas wholesale
  • China Palladium à grande vitesse 150mw de tension en avant de diode de commutation 1SS184 bas wholesale
  • China Palladium à grande vitesse 150mw de tension en avant de diode de commutation 1SS184 bas wholesale

Palladium à grande vitesse 150mw de tension en avant de diode de commutation 1SS184 bas
Demander le dernier prix
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :1SS184
Identité de produit :Identité de produit
D'entité :Basse tension en avant
Type :Diode de commutation
Palladium :150mW
RθJA :833℃/W
TJ :150℃
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Diode de commutation 1SS184

 

CARACTÉRISTIQUES

  •  Basse tension en avant

  • Temps de rétablissement inverse rapide

 

Point solide = vert moulant le dispositif composé, si aucun, le dispositif normal.

 

Estimations maximum @Ta=25℃

 

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension inverse maximale non répétitive VRM 85 V
Tension de blocage de C.C VR 80 V
Courant continu en avant IFM 300 mA
La moyenne a rectifié le courant de sortie IO 100 mA
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @t=8.3ms IFSM 2,0 A
Dissipation de puissance PD 150 mW
Résistance thermique de jonction à ambiant RθJA 833 ℃/W
La température de jonction TJ 150 ℃
Température ambiante de température de stockage TSTG -55~+150 ℃

Caractéristiques électriques @Ta=25℃

 

Paramètre Symbole Minute Type Maximum Unité Conditions
Tension claque inverse V (BR) 80     V IR=100μA

 

Tension en avant

 VF1   0,60   V IF=1mA
VF2   0,72   V IF=10mA
VF3   0,9 1,2 V IF=100mA

 

Courant inverse

 IR1     0,1 uA VR=30V
IR2     0,5 uA VR=80V
Capacité entre les terminaux CT   0,9 3,0 PF VR=0, f=1MHz
Temps de rétablissement inverse t rr   1,6 4,0 NS IF=IR=10mA, Irr=0.1×IR

 

Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4