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FS1A PAR le redresseur rapide de récupération de bâti extérieur de FS1M Dual Switching Diode

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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FS1A PAR le redresseur rapide de récupération de bâti extérieur de FS1M Dual Switching Diode

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :FS1A THRU FS1M
Type :General Purpose Silicon Rectifier
Weight :0.002 ounce, 0.07 grams
Feature :High forward surge current capability
IFSM :30.0Amps
I(AV) :1.0Amp
VF :1.3Volts
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FS1A PAR LE BÂTI de SURFACE de FS1M JEÛNENT tension inverse de REDRESSEUR de RÉCUPÉRATION - 50 à 1000 volts de courant en avant -1,0 ampères

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES
 
  1. Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
  2. Pour la surface basse fuite inverse montée d'applications
  3. Passe-fils intégré, idéal pour la capacité élevée automatisée de courant de montée subite en avant de placement
  4. Soudure à hautes températures garantie : 250 secondes C/10 sur des terminaux
  5. Jonction de puce passivée par verre

 

DONNÉES MÉCANIQUES

 

 

Cas : Corps en plastique moulé par DO-214AC de JEDEC au-dessus de puce passivée

Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026

Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

Position de montage : Quels

Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.

La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.

Numéro de catalogue de MDD SYMBOLES FS1A FS1B FS1D FS1G FS1J FS1K FS1M UNITÉS
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 VOLTS
Tension maximum de RMS VRMS 35 70 140 280 420 560 700 VOLTS
Tension de blocage de C.C de maximum Volts continu 50 100 200 400 600 800 1000 VOLTS

Courant en avant rectifié moyen maximum

à TL =90 C

I (POIDS DU COMMERCE) 1,0 Ampère

Courant de montée subite en avant maximal

8.3ms choisissent la demi sinus-vague superposée à la charge évaluée (la méthode de JEDEC)

 

IFSM

 

30,0

 

Ampères

Tension en avant instantanée maximum à 1.0A VF 1,3 Volts

VENTRES actuels inverses =25 C de C.C de maximum

à la tension de blocage évaluée de C.C MERCI =100 C

IR

5,0

50,0

mA
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1) trr 150 250 500 NS
Capacité de jonction typique (NOTE 2) CJ 15,0 PF
Résistance thermique typique (NOTE 3) RqJA 50,0 C/W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -65 à +150 C

 

 

 

Note :

1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération

2. Mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V

3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), carte PCB montée

 

 

ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES FS1A PAR FS1M

 

 

 

FS1A PAR le redresseur rapide de récupération de bâti extérieur de FS1M Dual Switching Diode

FS1A PAR le redresseur rapide de récupération de bâti extérieur de FS1M Dual Switching Diode

FS1A PAR le redresseur rapide de récupération de bâti extérieur de FS1M Dual Switching Diode

 

Mots clés du produit:
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