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RS3A PAR le courant en avant de RS3M Dual Switching Diode - 3,0 ampères

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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RS3A PAR le courant en avant de RS3M Dual Switching Diode - 3,0 ampères

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :RS3A THRU RS3M
Weight :0.003 ounce, 0.093 grams
Feature :High forward surge current capability
Type :General Purpose Silicon Rectifier
IFSM :100.0Amps
VF :1.3Volts
I(AV) :3.0Amps
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RS3A PAR la tension d'everse de BÂTI de SURFACE de RS3M - 50 à 1000 volts expédiez le courant - 3,0 ampères

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES
 
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour la surface basse fuite inverse montée d'applications
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
Soudure à hautes températures garantie :
250 secondes C/10 au verre de terminaux ont passivé la jonction de puce

 

 

 

 

DONNÉES MÉCANIQUES

 

 

Cas : JEDEC DO-214AA a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée

Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026

Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

Position de montage : Quels

   Poids : 0,003 onces, 0,093 grammes

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Numéro de catalogue de MDD SYMBOLES RS3A RS3B RS3D RS3G RS3J RS3K RS3M UNITÉS
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 VOLTS
Tension maximum de RMS VRMS 35 70 140 280 420 560 700 VOLTS
Tension de blocage de C.C de maximum Volts continu 50 100 200 400 600 800 1000 VOLTS

Courant en avant rectifié moyen maximum

à TL =75 C

I (POIDS DU COMMERCE) 3,0 Ampères

Courant de montée subite en avant maximal

8.3ms choisissent la demi sinus-vague superposée à la charge évaluée (la méthode de JEDEC)

 

IFSM

 

100,0

 

Ampères

Tension en avant instantanée maximum à 3.0A VF 1,3 Volts

VENTRES actuels inverses =25 C de C.C de maximum

à la tension de blocage évaluée de C.C MERCI =100 C

IR

5,0

100,0

mA
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1) trr 150 250 500 NS
Capacité de jonction typique (NOTE 2) CJ 60,0 PF
Résistance thermique typique (NOTE 3) RqJA 50,0 C/W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -50 à +150 C

 


 

Note :

1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération

2. Mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V

3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), carte PCB montée

 

 

 

ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES RS3A PAR RS3M

 

 

 

RS3A PAR le courant en avant de RS3M Dual Switching Diode - 3,0 ampères

RS3A PAR le courant en avant de RS3M Dual Switching Diode - 3,0 ampères

RS3A PAR le courant en avant de RS3M Dual Switching Diode - 3,0 ampères

 

Mots clés du produit:
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