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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Accueil / produits / Mos Field Effect Transistor / La Manche VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor N à faible bruit /

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La Manche VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor N à faible bruit
La Manche VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor N à faible bruit
  • La Manche VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor N à faible bruit
produits détaillés
60V N-canal AlphaSGT HXY4264 Résumé de produit VDS 30V I = 10A VGS = 10V) Le RDS (DESSUS) < 23mΩ (VGS = 10V) Le RDS (DESSUS) < 35mΩ (VGS = 4.5V) ...
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