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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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La température de jonction matérielle de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
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China La température de jonction matérielle de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃ wholesale
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La température de jonction matérielle de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :50N06P/T
Product name :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
Material :Silicon
Case :Tape/Tray/Reel
Type :mosfet transistor
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de 50N06P/T 200V

 

Résumé de produit

 

Le 18N20X emploie la technologie plate avancée pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses que 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.
 
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