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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V N

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V N

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :60N06HX
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
La température de jonction :150℃
Matériau :de silicium
Affaire :Bande/plateau/bobine
Type :Transistor de transistor MOSFET
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de 60N06HX 200V

 

Résumé de produit

 

Le 18N20X emploie la technologie plate avancée pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses que 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.
 
 
Transistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V NTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V NTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V NTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V NTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V NTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V NTransistor MOSFET de mode d'amélioration de la Manche du transistor à effet de champ de MOS de 60N06HX 60V N
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