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Diodes encapsulées par plastique rapide à haute tension de la diode TO-220F de récupération

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Diodes encapsulées par plastique rapide à haute tension de la diode TO-220F de récupération

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :Diode de TO-220F
Type :diode de redresseur rapide de récupération
Affaire :Corps en plastique moulé par DO-41 de JEDEC
Tension de blocage de C.C :400V
D'entité :Bas courant inverse de fuite
Applications :alimentations à découpage
Tension inverse de RMS :280V
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TO-220F Plastique-encapsulent des diodes
 
 

CARACTÉRISTIQUES

  1. Temps de rétablissement 35ns ultra-rapides
  2. Capacité à haute tension à 400V
  3. Bas courant inverse de fuite

 

APPLICATIONS

Le dispositif de state−of−the−art sont une série conçue pour l'usage dans des alimentations d'énergie de commutation, inverseurs et en tant que diodes de roulement libres.

L'utilisation dans l'étape de rectification de sortie de SMPS, UPS, convertisseurs de DC/DC aussi bien que libèrent la diode de roulement dans des inverseurs de basse tension et des commandes de choppermotor.

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Tun =25℃ sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnité
VRRMTension inverse répétitive maximale400V
VRWMTension inverse maximale fonctionnante400V
VRTension de blocage de C.C400V
VR (RMS)Tension inverse de RMS280V

 

IO

La moyenne a rectifié le current@ de sortie par jambe8A
La moyenne a rectifié le dispositif de total de current@ de sortie16A

 

IFSM

Courant de montée subite en avant maximal non répétitif

(Montée subite appliquée aux conditions de charge évaluées à demi onde, au monophasé, 60Hz)

 

100

 
A

RΘJARésistance thermique de jonction à ambiant62,5℃/W
TjLa température de jonction150
TstgTempérature de stockage-55~+150

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tun =25℃ sauf indication contraire)

ParamètreSymboleConditions d'essaiMinuteTypeMaximumUnité
Tension inverseV (BR)IR=0.1mA400  V
Courant inverseIR*VR=400V  5μA
Tension en avantVF*IF=8A  1,25V
Capacité totale typiqueCtotVR=0V, f=1MHz 85 PF
Temps de rétablissement inversetrrIF= 0.5A, IR=1A, Irr=0.25A  35NS

 

SymboleDimensions dans les millimètresDixième de dollarnsions en pouces
 Minimal.Maximum.Minimal. Maximum.
A4,3004,7000,169 0,185
A1 1,300 Réf. 0,051 Réf. 
A22,8003,2000,110 0,126
A32,5002,9000,098 0,114
b0,5000,7500,020 0,030
b11,1001,3500,043 0,053
b21,5001,7500,059 0,069
c0,5000,7500,020 0,030
D9,96010,3600,392 0,408
E14,80015,2000,583 0,598
e 2,540 TYPE. 0,100 TYPES. 
F 2,700 Réf. 0,106 Réf. 
Ф 3,500 Réf. 0,138 Réf. 
h0,0000,3000,0000,012
h1 0,800 Réf. 0,031 Réf. 
h2 0,500 Réf. 0,020 Réf. 
L28,00028,4001,102 1,118
L11,7001,9000,067 0,075
L20,9001,1000,035 0,043


 
 

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