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Capacité de crête élevée de la dissipation de puissance de pont redresseur de MBR3045CT Schottky 2 W

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Capacité de crête élevée de la dissipation de puissance de pont redresseur de MBR3045CT Schottky 2 W

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MBR3045CT
Power mosfet transistor :TO-220-3L Plastic-Encapsulate Diodes
Type :Schottky Barrier Chip
Power dissipation :2 W
IO :10A
Product ID :MBR3045CT
Tstg :-55~+150
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MBR2030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT TO-220-3L Plastique-encapsulent des diodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Puce de barrière de Schottky
Perte de puissance faible, rendement élevé
L'anneau de garde meurent construction pour la protection passagère
Capacité de crête élevée
Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Capacité de crête élevée de la dissipation de puissance de pont redresseur de MBR3045CT Schottky 2 W
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
Capacité de crête élevée de la dissipation de puissance de pont redresseur de MBR3045CT Schottky 2 W
 
 
Caractéristiques typiques
 
Capacité de crête élevée de la dissipation de puissance de pont redresseur de MBR3045CT Schottky 2 W
 
 
Mots clés du produit:
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