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Dissipation de puissance à haute fréquence de collecteur de triode de semi-conducteur de TIP32/32A/32B/32C 2W

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Dissipation de puissance à haute fréquence de collecteur de triode de semi-conducteur de TIP32/32A/32B/32C 2W

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP32/32A/32B/32C
Identité de produit :TIP32/32A/32B/32C
Dissipation de puissance de collecteur :2w
Type :Triode de semi-conducteur
D'entité :Haute fréquence
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TO-220-3L Plastique-encapsulent des transistors

 

 

TIP32/32A/32B/32C

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 
Applications linéaires de commutation de puissance moyenne
 
 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)

Symbole Paramètre TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 60 80 100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 40 60 80 100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur 3 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 2 W
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 62,5  
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (merci =25℃ à moins que d'autres sages spécifiques)

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Hache de M Unité
Tension claque de collecteur-base TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA, C.-À-D. =0

40

60

80

100

 

 

 

V

Tension claque de collecteur-émetteur * TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

VCEO (sus)

 

 

IC= 30mA, IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 5   V
Courant de coupure de collecteur

TIP31 TIP31A TIP31B

TIP31C

 

 

ICBO

VCB=40V, C.-À-D. =0 VCB=60V, C.-À-D. =0 VCB=80V, C.-À-D. =0 VCB=100V, C.-À-D. =0  

 

 

200

 

 

μA

Courant de coupure de collecteur TIP31/31A TIP31B/31C ICEO VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0  

 

0,3

 

mA

Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0   1 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE= 4V, IC= 1A 25    
hFE (2) VCE=4 V, IC= 3A 15 75  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=3A, IB=0.375A   1,2 V
Tension d'émetteur de base VBE (dessus) VCE= 4V, IC=3A   1,8 V
Fréquence de transition fT VCE=10V, IC=0.5A 3   Mégahertz

 

 

* essai d'impulsion : PW≤300µs, devoir Cycle≤2%.

 

 

 

Caractéristiques typiques TIP31/31A/31B/31C

 

Dissipation de puissance à haute fréquence de collecteur de triode de semi-conducteur de TIP32/32A/32B/32C 2W

 

 

 

Dissipation de puissance à haute fréquence de collecteur de triode de semi-conducteur de TIP32/32A/32B/32C 2W

Dissipation de puissance à haute fréquence de collecteur de triode de semi-conducteur de TIP32/32A/32B/32C 2W

 

 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-126

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TYPE 0,100 TYPES
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Dissipation de puissance à haute fréquence de collecteur de triode de semi-conducteur de TIP32/32A/32B/32C 2W
 

 

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