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Performance à grande vitesse de transistor de commutation de TIP41/41A/41B/41C NPN haute

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Performance à grande vitesse de transistor de commutation de TIP41/41A/41B/41C NPN haute

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP41/41A/41B/41C
Identité de produit :TIP41/41A/41B/41C
Type :Triode de semi-conducteur
Transistor de transistor MOSFET de puissance :Plastique de TO-220-3L encapsulé
D'entité :Applications linéaires de commutation de puissance moyenne
Dissipation de puissance de collecteur :2w
tension d'Émetteur-base :5V
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TO-220-3L Plastique-encapsulent des transistors

 

TRANSISTOR DE TIP41/41A/41B/41C (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 
Applications linéaires de commutation de puissance moyenne
 
 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)

Symbole Paramètre TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 60 80 100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 40 60 80 100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur - continu 6 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 2 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température ambiante de température de stockage -55~+150

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Maximum Unité

Tension claque de collecteur-base TIP41

TIP4 1A

TIP41B TIP41C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA, C.-À-D. =0

40

60

80

100

 

 

 

V

Tension claque de collecteur-émetteur TIP41

TIP41A

TIP41B TIP41C

 

 

VCEO (sus)

 

 

IC= 30mA, IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = 1mA, IC=0 5   V

Courant de coupure de collecteur TIP41 TIP4 1A TIP41B

TIP41C

 

 

ICBO

VCB=40V, C.-À-D. =0 VCB=60V, C.-À-D. =0 VCB=80V, C.-À-D. =0 VCB=100V, C.-À-D. =0

 

0,4

 

 

mA

 

Courant de coupure de collecteur TIP41/41A TIP41B/41C

 

ICEO

VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0

 

0,7

 

 

mA

Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=5V, IC=0   1 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE= 4V, IC= 0.3A 30    
  hFE (2) VCE=4 V, IC= 3A 15 75  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=6A, IB=0.6A   1,5 V
Tension d'émetteur de base VBE (dessus) VCE= 4V, IC=6A   2 V

 

Fréquence de transition

 

fT

VCE=10V, IC=0.5A

f =1MHz

 

3

 

 

MHZ

 

 

 

Characterisitics typique

 

TIP41/41A/41B/41C

 

Performance à grande vitesse de transistor de commutation de TIP41/41A/41B/41C NPN haute

Performance à grande vitesse de transistor de commutation de TIP41/41A/41B/41C NPN haute

Performance à grande vitesse de transistor de commutation de TIP41/41A/41B/41C NPN haute

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