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Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP42/42A/42B/42C
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TO-220-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors TIP42/42A/42B/42C (PNP)

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications linéaires de commutation de puissance moyenne

Complément à TIP41/41A/41B/41C

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C Unité
VCBO Tension de collecteur-base -40 -60 -80 -100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -40 -60 -80 -100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur - continu -6 A
PC Dissipation de puissance de collecteur 2 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température ambiante de température de stockage -55to+150

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Maximum Unité

Tension claque de collecteur-base TIP42

TIP42A TIP42B TIP42C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= -1MA, C.-À-D. =0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

V

Tension claque de collecteur-émetteur TIP42

TIP42A TIP42B TIP42C

 

V (BR) CEO*

 

 

IC= -30MA, IB=0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

V

tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO C.-À-D. = -1MA, IC=0 -5   V

Courant de coupure de collecteur TIP42 TIP42A TIP42B

TIP42C

 

 

ICBO

VCB=-40V, C.-À-D. =0 VCB=-60V, C.-À-D. =0 VCB=-80V, C.-À-D. =0 VCB=-100V, C.-À-D. =0  

 

 

-0,4

 

 

mA

Courant de coupure de collecteur TIP42/42A TIP42B/42C ICEO

VCE= -30V, IB= 0

VCE= -60V, IB= 0

  -0,7 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB=-5V, IC=0   -1 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE=-4V, IC=-0.3A 30    
  hFE (2) VCE=-4 V, IC= -3A 15 75  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (reposé) IC=-6A, IB=-0.6A   -1,5 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE=-4V, IC=-6A   -2 V
Fréquence de transition fT VCE=-10V, IC=-0.5 3   MHZ

 

 

 

Characterisitics typique

 

TIP42C

 

Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

 

 

 

Dimensions d'ensemble de paquet de TO-220-3L

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TYPE 0,100 TYPES
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Tension basse -5 V d'émetteur de la triode TIP42/42A/42B/42C de semi-conducteur de puissance élevée

 

 

 

 

 

 


 

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