Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former un commutateur latéral élevé décalé par niveau, et pour un centre serveur d'autre

Caractéristiques générales de transistor de puissance de transistor MOSFET

V DS =200V, I D =5A
R DS (DESSUS) <520m>

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

Commutation de charge

Dur commuté et la haute fréquence fait le tour de l'alimentation d'énergie non interruptible

Inscription et information de commande de paquet

Identité de produit	Paquet	Repérage	Quantité (PCS)
5N20D	TO-252	5N20D	3000
5N20Y	TO-251	5N20Y	4000

Capacités absolues (TA=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Limite	Unité
Tension de Drain-source	VDS	200	V
Tension de Porte-source	VGS	±20	V
Vidangez Actuel-continu	Identification	5	A
Vidangez Actuel-pulsé (note 1)	IDM	20	A
Dissipation de puissance maximum	Palladium	30	W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage	TJ, TSTG	-55 à 150	℃

Caractéristique thermique

Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2)

RθJA

4,17

℃/W

Caractéristiques électriques (TA=25℃ sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Condition	Minute	Type	Maximum	Unité
Outre des caractéristiques
Tension claque de Drain-source	BVDSS	VGS=0V ID=250μA	200	-	-	V
Courant zéro de drain de tension de porte	IDSS	VDS=200V, VGS=0V	-	-	1	μA
Courant de fuite de Porte-corps	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	Na
Sur des caractéristiques (note 3)
Tension de seuil de porte	VGS (Th)	VDS=VGS, ID=250μA	1,2	1,7	2,5	V
Résistance de Sur-état de Drain-source	LE RDS (DESSUS)	VGS=10V, ID=2A	-	520	580	mΩ
Transconductance en avant	gFS	VDS=15V, ID=2A	-	8	-	S
Caractéristiques dynamiques (Note4)
Capacité d'entrée	Clss	VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	580	-	PF
Capacité de sortie	Coss		-	90	-	PF
Capacité inverse de transfert	Crss		-	3	-	PF
Caractéristiques de commutation (note 4)
Temps de retard d'ouverture	le TD (dessus)	VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω	-	10	-	NS
Temps de montée d'ouverture	TR		-	12	-	NS
Temps de retard d'arrêt	le TD ()		-	15	-	NS
Temps d'arrêt d'automne	tf		-	15	-	NS
Charge totale de porte	Qg	VDS=100V, ID=2A, VGS=10V	-	12		OR
Charge de Porte-source	Qgs		-	2,5	-	OR
Charge de Porte-drain	Qgd		-	3,8	-	OR
Caractéristiques de diode de Drain-source
Tension en avant de diode (note 3)	VSD	VGS=0V, IS=2A	-	-	1,2	V
Courant en avant de diode (note 2)	EST		-	-	5	A

Notes :

Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
Garanti par conception, pas sujet à la production

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
Symbole	Minimal.	Maximum.	Minimal.	Maximum.
A	2,200	2,400	0,087	0,094
A1	0,000	0,127	0,000	0,005
b	0,660	0,860	0,026	0,034
c	0,460	0,580	0,018	0,023
D	6,500	6,700	0,256	0,264
D1	5,100	5,460	0,201	0,215
D2	0,483 TYPES.		0,190 TYPES.
E	6,000	6,200	0,236	0,244
e	2,186	2,386	0,086	0,094
L	9,800	10,400	0,386	0,409
L1	2,900 TYPE.		0,114 TYPES.
L2	1,400	1,700	0,055	0,067
L3	1,600 TYPE.		0,063 TYPES.
L4	0,600	1,000	0,024	0,039
Φ	1,100	1,300	0,043	0,051
θ	0°	8°	0°	8°
h	0,000	0,300	0,000	0,012
V	5,350 TYPE.		0,211 TYPES.

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