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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252

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China Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252 wholesale
  • China Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252 wholesale

Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252
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Numéro de type :30P03X TO-252
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
Type :Composants électroniques
tension de Drain-source :-30 V
Tension de Porte-Source :±25 V
Taille :Taille standard
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Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET


La technologie avancée de fossé des utilisations 30P03X
et conception pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) le bas
gatecharge. Il peut être employé dans l'une grande variété

applications.


Caractéristiques générales de transistor de puissance de transistor MOSFET


VDS=-30V, ID=-40A
LE RDS (DESSUS)<20m> LE RDS (DESSUS)<32m>


Application de transistor de puissance de transistor MOSFET


Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252

 

Capacités absolues (T A =25℃ sauf indication contraire)

Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252

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Caractéristiques électriques (T A =25℃ sauf indication contraire)

Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252

 

Notes :
1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. garanti par conception, pas sujet à la production

 

Caractéristiques électriques et thermiques typiques  

 

Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252

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