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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

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China Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande wholesale
  • China Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande wholesale

Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande
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Numéro de type :30P06D TO-252
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :transistor de puissance élevée
Caractéristiques :Haute puissance
tension de Drain-source :-60 V
Tension de Porte-Source :±20 V
L'autre nom :Transistor à effet de champ
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Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

 

DESCRIPTION de transistor de puissance élevée


Le fossé avancé des utilisations 30P06D
technologie pour fournir excellent R DS (DESSUS)
et basse charge de porte. Ce dispositif est
approprié pour l'usage comme commutateur de charge ou dedans
Applications de PWM.


GÉNÉRAL CARACTÉRISTIQUES de transistor de puissance élevée


V DS = - 60V, I D =-30A
R de puissance élevée de DS ( < 40m=""> DESSUS) R DS ( < 55m=""> DESSUS) et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti


Application de transistor de puissance élevée


Applications de PWM
Gestion de puissance

Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

 

Inscription et information de commande de paquet

Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

 

CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)

Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)

Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

 

NOTES :


1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. surface montée sur 1in 2 FR4 panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation. 4. garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande

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L'information du paquet TO-252

 

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