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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

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Numéro de type :50P06D TO-252
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :transistor de canal de p
Originale :Oui
tension de Drain-source :-60 V
Tension de Porte-Source :±20 V
L'autre nom :transistor à haute tension
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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

 

DESCRIPTION de transistor de la Manche de P

 

Le fossé avancé des utilisations 50P06D
technologie pour fournir excellent R DS (DESSUS)
et basse charge de porte. Ce dispositif est
approprié pour l'usage comme commutateur de charge ou dedans
Applications de PWM


GÉNÉRAL CARACTÉRISTIQUES de transistor de la Manche de P

 

V DS = - 60V, I D =-50A
R de puissance élevée de DS ( < 25m=""> DESSUS) R DS ( < 30m=""> DESSUS) et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bâti
 

Application de transistor de la Manche de P


Applications de PWM
Commutateur de charge
Gestion de puissance

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

 

Inscription et information de commande de paquet

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

 

CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

 

NOTES :


1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. surface montée sur 1in 2 FR4 panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation. 4. garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES

 

 

 

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

 

L'information du paquet DFN5X6-8

 

Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

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