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Transistor original de transistor MOSFET de haute tension, conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor original de transistor MOSFET de haute tension, conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

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Numéro de type :1503C1
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :Transistor à haute tension de transistor MOSFET
R DS (DESSUS) = 7.1mΩ (type.) :@V GS = 10V
R du mΩ 10,0 de DS (DESSUS) = (type.) :@V GS = 4.5V
D'entité :Rocailleux
Type :Originale
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Transistor original de transistor MOSFET de haute tension, conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

 

Fonctionnement et caractéristiques à haute tension de transistor de transistor MOSFET

 

La construction du transistor MOSFET de puissance est dans les V-configurations, comme nous pouvons voir dans la figure suivante. Ainsi le dispositif s'appelle également comme V-MOSFET ou V-FET. Le v que la forme du transistor MOSFET de puissance est coupée pour pénétrer de la surface de dispositif est presque au substrat de N+ au N+, au P, et au N – couches. La couche de N+ est la couche fortement enduite avec un bas matériel résistif et la couche de n est une couche légèrement enduite avec la région de haute résistance.

 

Description à haute tension de caractéristique de transistor de transistor MOSFET

 

30V/34A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 7.1mΩ GS = 10V
R de DS (DESSUS) = du @V 10,0 de mΩ (type.) GS = 4.5V
Avalanche 100% examinée
Fiable et rocailleux
Halogène libre et dispositifs verts disponibles
(RoHS conforme)

 

Applications à haute tension de transistor de transistor MOSFET

 

Application de commutation
Gestion de puissance pour DC/DC
Protection de batterie

 

L'information de commande et de repérage

 

C1
1503
YYXXXJWW

 

Code de paquet


C1 : DFN3*3-8L   

                 

Code de date


YYXXX WW

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

Transistor original de transistor MOSFET de haute tension, conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

 

Caractéristiques de fonctionnement typiques

 

Transistor original de transistor MOSFET de haute tension, conducteur de transistor MOSFET à l'aide du transistor

 

 

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