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Halogène fonctionnel multi de transistor de puissance de transistor MOSFET - dispositifs libres disponibles

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Halogène fonctionnel multi de transistor de puissance de transistor MOSFET - dispositifs libres disponibles

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Numéro de type :G080NH03LA1C1
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
D'entité :Fonctionnel multi
V DS :30V
Identification (V GS = 10V) :24A
R de @V de DS (DESSUS) (type) GS = 10V :M. 14,3
R de @V de DS (DESSUS) (type) GS = 4.5V :M. 18,8
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Halogène fonctionnel multi de transistor de puissance de transistor MOSFET - dispositifs libres disponibles

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Le transistor MOSFET de puissance est un type de transistor MOSFET. Le principe de fonctionnement du transistor MOSFET de puissance est semblable au transistor MOSFET général. Les TRANSISTORS MOSFET de puissance sont très spéciaux pour manipuler le haut niveau des puissances. Il montre la vitesse de commutation élevée et à côté de rivaliser avec le transistor MOSFET normal, le transistor MOSFET de puissance fonctionnera mieux. Les transistors MOSFET de puissance est très utilisé en mode d'amélioration de n-canal, mode d'amélioration de p-canal, et en forme du mode d'épuisement de n-canal. Ici nous avons expliqué au sujet du transistor MOSFET de puissance de N-canal. La conception du transistor MOSFET de puissance a été faite à l'aide de la technologie de CMOS et également employée pour le développement de fabriquer les circuits intégrés pendant les années 1970.

 

Caractéristique de transistor de puissance de transistor MOSFET 

 

Q1 Q2
V DS 30V 30V
Identification (V GS = 10V) 24A 36A
R de @V de DS (DESSUS) (type) M. GS = 10V 14,3 7,3 M.
R de @V de DS (DESSUS) (type) M. GS = 4.5V 18,8 M. 10,1

Avalanche 100% examinée
Fiable et rocailleux
Dispositifs libres d'halogène disponibles

 

Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Redresseurs synchrones
Puissance sans fil
commande de moteur de H-pont

 

L'information de commande et de repérage

 

C1
G080NH03

 

Code de paquet
C1 : DFN3*3-8L
Code de date

 

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.

 

Capacités absolues

 

Halogène fonctionnel multi de transistor de puissance de transistor MOSFET - dispositifs libres disponibles

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