Transistor de puissance de transistor MOSFET de la plus haute performance avec la densité élevée extrême de cellules
Description de caractéristique de transistor de puissance de transistor MOSFET
C'est un transistor MOSFET à haute tension de puissance conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé dans des applications à grande vitesse de commutation des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.
40V/12A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 13mΩ GS = 10V
R DS (DESSUS) = (type.) @V 16mΩ GS = 4.5V
100%Avalanche examiné
Fiable et rocailleux
Halogène libre et DevicesAvailable vert
(RoHSCompliant)
Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET
PowerManagement forDC/DC
Application de commutation
Protection de batterie
L'information de commande et de repérage
S
HXY1404
YYXXXJWW G
Code de paquet
S : SOP-8L
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent
Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bâti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL à la température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations à ces RP
oduct et/ou à ce document à tout moment sans préavis.
Capacités absolues
Caractéristiques de fonctionnement typiques
