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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche d'AP5N10SI N pour le système à piles

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche d'AP5N10SI N pour le système à piles

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Numéro de type :AP5N10SI
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N
modèle :AP5N10SI
Paquet :SOT89-3
Repérage :AP5N10SI YYWWWW
Tension de VDSDrain-source :100V
Tension de rce de VGSGate-Sou :±20A
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche d'AP5N10SI N pour le système à piles

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N :

 

L'AP5N10SI est la logique simple de N-canal

transistors à effet de champ de puissance de mode d'amélioration à

fournissez excellent R DS (dessus), bas charge de porte et bas

déclenchez la résistance. Elle est jusqu'à la tension de l'opération 30V est bien adaptée dans l'alimentation d'énergie de mode de commutation, SMPS,

gestion et autre de puissance d'ordinateur portable

circuits à piles.

 

Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N :

 

LE RDS (DESSUS)<125m>

LE RDS (DESSUS)<135m>

Conception à haute densité superbe de cellules pour extrêmement - bas

Sur-résistance exceptionnelle du RDS (DESSUS) et courant de C.C de maximum

 

Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N :

 

Alimentation d'énergie de commutation, SMPS

Système à piles

Convertisseur de DC/DC

Convertisseur de DC/AC

Commutateur de charge

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP5N10SI SOT89-3 AP5N10SI YYWWWW 1000

 

Estimations maximum du Tableau 1.Absolute (MERCI =25℃)

 

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VDS Tension de Drain-source (VGS=0V) 100 V
VGS Tension de Porte-source (VDS=0V) ±25 V

 

D

I

Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=25) 5 A
Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Vidangez Current-Continuous@ Actuel-a palpité (note 1) 20 A
Palladium Dissipation de puissance maximum 9,3 W
TJ, TSTG Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -55 à 150
Symbole Paramètre Valeur Unité
VDS Tension de Drain-source (VGS=0V) 100 V
VGS Tension de Porte-source (VDS=0V) ±25 V

 

D

I

Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=25) 5 A
Vidangez Actuel-continu (℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Vidangez Current-Continuous@ Actuel-a palpité (note 1) 20 A
Palladium Dissipation de puissance maximum 9,3 W
TJ, TSTG Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -55 à 150

 

Caractéristique du Tableau 2.Thermal

 

Symbole Paramètre Type Valeur Unité
R JA Résistance thermique, Jonction-à-ambiante - 13,5 ℃/W

 

Caractéristiques électriques du tableau 3. (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
États "Marche/Arrêt"          
BVDSS Tension claque de Drain-source VGS=0V ID=250μA 100     V
IDSS Courant zéro de drain de tension de porte VDS=100V, VGS=0V     100 μA
IGSS Courant de fuite de Porte-corps VGS=±20V, VDS=0V     ±100 Na
VGS (Th) Tension de seuil de porte VDS=VGS, μA ID=250 1 1,5 3 V

 

LE RDS (DESSUS)

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

VGS=10V, ID= 10A   110 125 m Ω
VGS=4.5V, ID=-5A   120 135 m Ω
Caractéristiques dynamiques
Ciss Capacité d'entrée

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz

  690   PF
Coss Capacité de sortie   120   PF
Crss Capacité inverse de transfert   90   PF
Temps de commutation
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture     11   NS

r

t

Temps de montée d'ouverture   7,4   NS
le TD () Temps de retard d'arrêt   35   NS

f

t

Temps d'arrêt d'automne   9,1   NS
Qg Charge totale de porte VDS=15V, ID=10A V GS=10V   15,5   OR
Qgs Charge de Porte-source   3,2   OR
Qgd Charge de Porte-drain   4,7   OR
Caractéristiques de diode de Source-drain
ISD Courant de Source-drain (diode de corps)       20 A
VSD Expédient sur la tension (note 1) VGS=0V, IS=2A     0,8 V

 

Soudure de ré-écoulement :

 

Le choix de la méthode de chauffage peut être influencé par le paquet en plastique de QFP). Si l'infrarouge ou le chauffage de phase vapeur est employé et

le paquet n'est pas absolument sec (moins de 0,1% teneurs en eau en poids), vaporisation d'un peu d'humidité

dans eux peut causer la fissuration du corps en plastique. Le préchauffage est nécessaire pour sécher la pâte et pour évaporer le lieur. Durée de préchauffage : 45 minutes à 45 °C.

 

La soudure de ré-écoulement exige de la pâte de soudure (une suspension des particules fines de soudure, du flux et du lieur) pour être appliquée au panneau de circuit imprimé par l'impression, la polycopie ou la pression-seringue d'écran distribuant avant le placement de paquet. Plusieurs méthodes existent pour reflowing ; par exemple, convection ou convection/chauffage infrarouge dans un type four de convoyeur. Les temps de sortie (préchauffage, soudant et se refroidissant) varient entre 100 et 200 secondes selon la méthode de chauffage.

 

Température ambiante typique de crête de ré-écoulement de 215 au °C 270 selon le matériel de pâte de soudure. La dessus-surface

la température des paquets si préférable d'être gardé en-dessous du °C 245 pour profondément/grands paquets (paquets avec une épaisseur

 

2,5 millimètres ou avec un volume 350 millimètres

3

soi-disant paquets épais/grands). La température de dessus-surface des paquets devrait

 

préférable soyez gardé en-dessous du °C 260 pour paquets minces/petits (paquets avec une épaisseur < 2="">

 

Étape Condition Durée
1' Ram de St vers le haut du taux max3.0+/-2 /sec -
Préchauffez 150 ~200 sec 60~180
2' Ram de ND max3.0+/-2 /sec -
Joint de soudure 217 ci-dessus sec 60~150
Temp maximal 260 +0/-5 sec 20~40
De Ram taux vers le bas 6 /sec maximum -

 

Soudure de vague :

 

La soudure simple conventionnelle de vague n'est pas recommandée pour les dispositifs extérieurs (SMDs) de bâti ou les panneaux de circuit imprimé avec une densité composante élevée, car le pont et le non-mouillage en soudure peuvent présenter des problèmes majeurs.

 

Soudure de manuel :

 

Fixez le composant en soudant d'abord deux avances diagonal-opposées d'extrémité. Employez un bas fer à souder de tension (24 V ou moins) appliqué à la partie plate de l'avance. Le temps de contact doit être limité à 10 secondes à jusqu'à 300 °C. À l'aide d'un outil consacré, toutes autres avances peuvent être soudées dans une opération dans 2 à 5 secondes entre 270 et 320 °C.

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