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Transistor de puissance de changement rapide de transistor MOSFET AP6H06S 6A 60V adapté aux besoins du client

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor de puissance de changement rapide de transistor MOSFET AP6H06S 6A 60V adapté aux besoins du client

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Numéro de type :AP6H06S
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
modèle :AP6H06S
Paquet :SOP-8
Repérage :AP6H06S
Tension de VDSDrain-source :60V
Tension de rce de VGSGate-Sou :±20A
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Transistor de puissance de changement rapide de transistor MOSFET AP6H06S 6A 60V adapté aux besoins du client

 

Introduction de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

La technologie de transistor MOSFET est idéale pour l'usage dans beaucoup d'applications de puissance, où le bas commutateur sur la résistance permet à des hauts niveaux d'efficacité d'être atteints.

Il y a un certain nombre de différentes variétés de transistor MOSFET de puissance fournies par différents fabricants, chacun avec ses propres caractéristiques et capacités.

Beaucoup de transistors MOSFET de puissance incorporent une topologie verticale de structure. Ceci permet la commutation à forte intensité avec le rendement élevé dans relativement un petit meurent secteur. Il permet également au dispositif de soutenir la commutation à forte intensité et de tension.

 

 

Caractéristiques générales


VDS = 60V IDENTIFICATION =6 A
LE RDS (DESSUS) < 35m="">

 

Application

 

Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP6H06S SOP-8 AP6H06S 3000

 

Capacités absolues (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension de Drain-source VDS 60 V
Tension de Porte-source VGS ±20 V
Vidangez Actuel-continu Identification 6 A
Vidangez Actuel-continu (TC=100℃) Identification (100℃) 3,5 A
Courant pulsé de drain IDM 24 A
Dissipation de puissance maximum Palladium 2 W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -55 à 150
Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 2) RθJA 62,5 ℃/W

 

Caractéristiques électriques (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

 

Paramètre Symbole Condition Minute Type Maximum Unité
Tension claque de Drain-source BVDSS VGS=0V ID=250μA 60 - - V
Courant zéro de drain de tension de porte IDSS VDS=60V, VGS=0V - - 1 μA
Courant de fuite de Porte-corps IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Tension de seuil de porte VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,6 2,5 V

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

LE RDS (DESSUS) VGS=10V, ID=5A - 26 35 mΩ
LE RDS (DESSUS) VGS=4.5V, ID=5A - 32 45 mΩ
Transconductance en avant gFS VDS=5V, ID=5A 11 - - S
Capacité d'entrée Clss   - 979 - PF
Capacité de sortie Coss - 120 - PF
Capacité inverse de transfert Crss - 100 - PF
Temps de retard d'ouverture le TD (dessus)   - 5,2 - NS
Temps de montée d'ouverture

r

t

- 3 - NS
Temps de retard d'arrêt le TD () - 17 - NS
Temps d'arrêt d'automne

f

t

- 2,5 - NS
Charge totale de porte Qg

 

VDS=30V, ID=5A,

- 22   OR
Charge de Porte-source Qgs - 3,3   OR
Charge de Porte-drain Qgd - 5,2   OR
Tension en avant de diode (note 3) VSD VGS=0V, IS=5A -   1,2 V
Courant en avant de diode (note 2)

S

I

  - - 5 A
Temps d'ouverture en avant tonne Le temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par LS+LD)

 

Notes :

 

1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum. 2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.

3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

4. Garanti par conception, pas sujet à la production

5. état d'EAS : Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

, L'intégralité d'information décrite ou contenue ci-dessus sont sujettes au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

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