Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP10H06S N

Haute fréquence de transistor à effet de champ de MOS de la Manche d'AP10H06S N

Types de transistor à effet de champ de MOS de la Manche de N

Dans l'arène globale des transistors MOSFET de puissance, il y a un certain nombre de technologies spécifiques qui ont été développées et adressées par différents fabricants. Ils emploient un certain nombre de différentes techniques qui permettent aux transistors MOSFET de puissance de porter le courant et de manipuler les niveaux de puissance plus efficacement. Comme déjà mentionné ils incorporent souvent une forme de vertical structurez

Les différents types de transistor MOSFET de puissance ont différents attributs et peuvent donc en particulier approprié aux applications données.

• Transistor MOSFET planaire de puissance : C'est la forme de base de transistor MOSFET de puissance. Il est bon pour des estimations à haute tension parce que DESSUS la résistance est dominée par la résistance d'épicouche. Cette structure est généralement employée quand une densité élevée de cellules n'est pas nécessaire.
• VMOS : Les transistors MOSFET de puissance de VMOS ont été disponibles depuis de nombreuses années. Le concept de base emploie une structure de cannelure de V pour permettre un écoulement plus vertical du courant, fournissant de ce fait plus bas SUR des niveaux de résistance et de meilleures caractéristiques de commutation. Bien qu'utilisé pour la commutation de puissance, ils peuvent également être employés pour de petits amplificateurs de puissance à haute fréquence de rf.
• UMOS : La version d'UMOS du transistor MOSFET de puissance emploie un verger semblable à celui le FET de VMOS. Cependant le verger a un fond plat à lui et fournit quelques différents avantages.
• HEXFET : Cette forme de transistor MOSFET de puissance emploie une structure hexagonale pour fournir la capacité actuelle.
• TrenchMOS : Encore le transistor MOSFET de puissance de TrenchMOS emploie un verger ou un fossé de base semblable dans le silicium de base pour fournir la capacité et les caractéristiques mieux de manipulation. En particulier, des transistors MOSFET de puissance de fossé sont principalement utilisés pour des tensions au-dessus de 200 volts en raison de leur densité de canal et par conséquent de leur inférieur SUR la résistance.

Caractéristiques de transistor à effet de champ de MOS de la Manche de N

VDS = 60V IDENTIFICATION =10A
LE RDS (DESSUS) < 20m="">

Application de transistor à effet de champ de MOS de la Manche de N

Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible

Inscription et information de commande de paquet

Capacités absolues (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

Caractéristiques électriques (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

Note

1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.

2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.

3. Essai d'impulsion : Μs du ≤ 300 de durée d'impulsion, ≤ 2% de coefficient d'utilisation.

4. Garanti par conception, pas sujet à la production

Attention

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

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