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Transistor de commutateur électrique d'AP12N10D, transistor de puissance original de silicium

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor de commutateur électrique d'AP12N10D, transistor de puissance original de silicium

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Numéro de type :AP12N10D
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :négociation
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Nom du produit :transistor de commutateur électrique
modèle :AP12N10D
Paquet :TO-252
Repérage :AP12N10D
Tension de VDSDrain-source :100V
Tension de rce de VGSGate-Sou :±20A
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Transistor de commutateur électrique d'AP12N10D, transistor de puissance original de silicium

 

Description générale :

 

La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP12N10D
pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et
opération avec des tensions de porte aussi basses que 4.5V. Ceci
le dispositif convient pour l'usage comme a
Protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.

 

Caractéristiques générales

 

VDS = 100V IDENTIFICATION = 5A
LE RDS (DESSUS) < 140m="">

 

 

Application

 

Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produit Paquet Repérage Quantité (PCS)
AP12N10D TO-252 AP12N10D 3000

 

Capacités absolues à Tj=25℃ sauf indication contraire

 

Paramètre Symbole Valeur Unité
Vidangez la tension de source VDS 100 V
Tension de source de porte VGS ±20 V
Courant continu de drain, ℃ TC=25 Identification 12 A
Courant pulsé de drain, ℃ de T =25 Identification, impulsion 24 A
Dissipation de puissance, ℃ de T C=25

P

D

17 W
Choisissez l'énergie pulsée d'avalanche 5) EAS 1,2 MJ
Opération et température de stockage Tstg, Tj -55 à 150
Résistance thermique, jonction-cas RθJC 7,4 ℃/W
Résistance thermique, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Caractéristiques électriques au ℃ Tj=25 sauf indication contraire

 

Symbole Paramètre Condition d'essai Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS tension claque de Drain-source V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Tension de seuil de porte V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source VGS=10 V, ID=5 A   110 140
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source V =4.5 V, ID=3 A   140 180

 

IGSS

 

courant de fuite de Porte-source

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS courant de fuite de Drain-source VDS=100 V, VGS=0 V     1 uA
Ciss Capacité d'entrée V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacité de sortie   28,9   PF
Crss Capacité inverse de transfert   1,4   PF
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   NS
TR Temps de montée   3,5   NS
le TD () Temps de retard d'arrêt   20,9   NS

t

f

Temps de chute   2,7   NS
Qg Charge totale de porte     4,3   OR
Qgs charge de Porte-source   1,5   OR
Qgd charge de Porte-drain   1,1   OR
Vplateau Tension de plateau de porte   5,0   V
EST La diode expédient le courant

 

VGS

    7

 

A

ISP Courant de source pulsé     21
VSD Tension en avant de diode IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Temps de rétablissement inverse     32,1   NS
Qrr Charge inverse de récupération   39,4   OR
Irrm Courant de récupération d'inversion maximal   2,1   A
Symbole Paramètre Condition d'essai Minimal. Type. Maximum. Unité
BVDSS tension claque de Drain-source V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Tension de seuil de porte V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source VGS=10 V, ID=5 A   110 140
LE RDS (DESSUS) résistance de sur-état de Drain-source V =4.5 V, ID=3 A   140 180

 

IGSS

 

courant de fuite de Porte-source

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS courant de fuite de Drain-source VDS=100 V, VGS=0 V     1 uA
Ciss Capacité d'entrée V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacité de sortie   28,9   PF
Crss Capacité inverse de transfert   1,4   PF
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   NS
TR Temps de montée   3,5   NS
le TD () Temps de retard d'arrêt   20,9   NS

t

f

Temps de chute   2,7   NS
Qg Charge totale de porte ID=5 A,
VDS=50 V,
VGS=10 V
  4,3   OR
Qgs charge de Porte-source   1,5   OR
Qgd charge de Porte-drain   1,1   OR
Vplateau Tension de plateau de porte   5,0   V
EST La diode expédient le courant

 

VGS

    7

 

A

ISP Courant de source pulsé     21
VSD Tension en avant de diode IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Temps de rétablissement inverse IS=5 A, di/dt=100
A/μs
  32,1   NS
Qrr Charge inverse de récupération   39,4   OR
Irrm Courant de récupération d'inversion maximal   2,1   A

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions à des droits de propriété intellectuelle ou à d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/à amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

 

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