Alternative de transistor MOSFET de transistor de G2012 20V 12A 10mr pour AP6982GN2-HF
Description :
Les séries AP6982 sont de puissance avancée ont innové conception et
technologie transformatrice de silicium pour réaliser le plus bas possible dessus ? résistance et représentation de changement rapide. Elle fournit
concepteur avec un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large
gamme des applications de puissance.
Ratings@Tj maximum absolu =25o.C (sauf indication contraire)
| Symbole |
Paramètre |
Estimation |
Unités |
| VDS |
Tension de Drain-source |
20 |
V |
| VGS |
Tension de Porte-source |
+8 |
V |
| ID@TA =25℃ |
Drain continu3 @ VGS actuels =4.5V |
11 |
|
| ID@TA =70℃ |
Drain continu3 @ VGS actuels =4.5V |
8,7 |
|
| IDM |
Courant pulsé1de drain |
40 |
|
| PD@TA =25℃ |
Dissipation de puissance totale3 |
2,4 |
W |
| TSTG |
Température ambiante de température de stockage |
-55 à 150 |
℃ |
| TJ |
Température ambiante fonctionnante de jonction |
-55 à 150 |
℃ |
Données thermiques
| Symbole |
Paramètre |
Valeur |
Unité |
| Rthj-a |
Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants |
52 |
℃/W |
Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Mn. |
Type. |
Maximum. |
Unités |
| BVDSS |
Tension claque de Drain-source |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA |
20 |
- |
- |
V |
| LE RDS (DESSUS) |
Sur-résistance statique2de Drain-source |
VGS =4.5V, IDENTIFICATION =10A |
- |
9,3 |
12,5 |
mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICATION =5A |
- |
11,3 |
16 |
mΩ |
| VGS =1.8V, IDENTIFICATION =2A |
- |
15 |
21 |
mΩ |
| VGS (Th) |
Tension de seuil de porte |
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA |
0,3 |
0,5 |
1 |
V |
| gfs |
Transconductance en avant |
VDS =5V, IDENTIFICATION =10A |
- |
34 |
- |
S |
| IDSS |
Courant de fuite de Drain-source |
VDS =16V, VGS =0V |
- |
- |
10 |
uA |
| IGSS |
Fuite de Porte-source |
VGS =+8V, VDS =0V |
- |
- |
+100 |
Na |
| Qg |
Charge totale de porte |
Identification =10A
VDS =10V VGS =4.5V
|
- |
22 |
35,2 |
OR |
| Qgs |
Charge de Porte-source |
- |
2,5 |
- |
OR |
| Qgd |
Charge de Porte-drain (« Miller ») |
- |
7 |
- |
OR |
| le TD (dessus) |
Temps de retard d'ouverture |
VDS =10V |
- |
9 |
- |
NS |
| TR |
Temps de montée |
Identification =1A |
- |
13 |
- |
NS |
| le TD () |
Temps de retard d'arrêt |
RG =3.3Ω |
- |
40 |
- |
NS |
| tf |
Temps de chute |
VGS =5V |
- |
10 |
- |
NS |
| |
| Ciss |
Capacité d'entrée |
VGS =0V
VDS =10V f=1.0MHz
|
- |
1500 |
2400 |
PF |
| Coss |
Capacité de sortie |
- |
170 |
- |
PF |
| Crss |
Capacité inverse de transfert |
- |
155 |
- |
PF |
| Rg |
Résistance de porte |
f=1.0MHz |
- |
2 |
4 |
Ω
|
Diode de Source-drain
| Symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Mn. |
Type. |
Maximum. |
Unités |
| VSD |
Expédiez sur la tension2 |
EST =2A, VGS =0V |
- |
- |
1,2 |
V |
| trr |
Temps de rétablissement inverse |
EST =10A, VGS =0V,
dI/dt=100A/µs
|
- |
11 |
- |
NS |
| Qrr |
Charge inverse de récupération |
- |
5 |
- |
OR |
Notes :
1. Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse
3.Surface a monté sur 1 dansla protection de l'en cuivre2 2oz FR4 du panneau, t<> 10s ; 165oC/W une fois monté sur la protection de cuivre minimale.
Ce produit est sensible à la décharge électrostatique, manipulent svp avec soin.
Ce produit n'est pas autorisé pour être employé comme composant critique d'un système d'assistance vitale ou d'autres systèmes semblables.
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