Les séries AP1334 sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser le plus bas possible sur la résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.

Ratings@Tj maximum absolu =25oC. (sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Estimation	Unités
VDS	Tension de Drain-source	20	V
VGS	Tension de Porte-source	+8	V
ID@TA =25℃	Vidangez le courant³, VGS @ 4.5V	2,1
ID@TA =70℃	Vidangez le courant³, VGS @ 4.5V	1,7
IDM	Courant pulsé^1de drain	8
PD@TA =25℃	Dissipation de puissance totale	0,35	W
TSTG	Température ambiante de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Température ambiante fonctionnante de jonction	-55 à 150	℃

Données thermiques

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
Rthj-a	Résistance thermique maximum,^3Jonction-ambiants	360	℃/W

AP1334GEU-H

Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Mn.	Type.	Maximum.	Unités
BVDSS	Tension claque de Drain-source	VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA	20	-	-	V
LE RDS (DESSUS)	Sur-résistance statique^2de Drain-source	VGS =4.5V, IDENTIFICATION =2A	-	-	65	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICATION =1.5A	-	-	75	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICATION =1A	-	-	85	mΩ
VGS (Th)	Tension de seuil de porte	VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA	0,3	-	1	V
gfs	Transconductance en avant	VDS =5V, IDENTIFICATION =2A	-	12	-	S
IDSS	Courant de fuite de Drain-source	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	uA
IGSS	Fuite de Porte-source	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+30	uA
Qg	Charge totale de porte	Identification =2A VDS =10V VGS =4.5V	-	9	14,4	OR
Qgs	Charge de Porte-source		-	1	-	OR
Qgd	Charge de Porte-drain (« Miller »)		-	2,5	-	OR
le TD (dessus)	Temps de retard d'ouverture	IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	6	-	NS
TR	Temps de montée		-	7	-	NS
le TD ()	Temps de retard d'arrêt		-	18	-	NS
tf	Temps de chute		-	3	-	NS
Ciss	Capacité d'entrée	VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz	-	570	912	PF
Coss	Capacité de sortie		-	70	-	PF
Crss	Capacité inverse de transfert		-	60	-	PF
Rg	Résistance de porte	f=1.0MHz	-	2,4	4,8	Ω

Diode de Source-drain

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Mn.	Type.	Maximum.	Unités
VSD	Expédiez sur la tension²	EST =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Temps de rétablissement inverse	EST =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	14	-	NS
Qrr	Charge inverse de récupération	EST =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	7	-	OR

Notes :

largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse

3.Surface a monté sur FR4 le panneau, sec du ≦ 10 de t.

Nos avantages :

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