CLASSIFICATION du hFE ₍₂₎

Rang

Gamme

90-180

135-270

200-400

300-600

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole

Dimensions dans les millimètres

Dimensions en pouces

Minute

Maximum

Minute

Maximum

3,300

3,700

0,130

0,146

1,100

1,400

0,043

0,055

0,380

0,550

0,015

0,022

0,360

0,510

0,014

0,020

4,300

4,700

0,169

0,185

3,430

0,135

4,300

4,700

0,169

0,185

1,270 TYPE

0,050 TYPES

2,440

2,640

0,096

0,104

14,100

14,500

0,555

0,571

1,600

0,063

0,000

0,380

0,000

0,015

Type de triode de semi-conducteur des transistors de puissance de l'astuce 3DD13005HD55 VCBO 600V

Température de stockage élevée -55-150 de densité de cellules de bâti de surface de transistors de série de l'astuce B772

plastique des transistors de puissance d'astuce de 1.25W NPN D882 TO-251-3L - transistors encapsulés

Plastique des transistors de puissance d'astuce d'A733 PNP TO-92 - encapsulez les transistors

Commutation B772 à vitesse réduite encapsulée par plastique des transistors de puissance d'astuce de PNP TO-251-3L

Commutateur de transistor de 3DD13003 NPN, dissipation de collecteur des transistors 1.25W de série d'astuce

Transistor NPN des transistors de puissance de TO-252Tip 3DD13002

circuit de transistor de 2N3906 NPN, transistor de puissance de NPN pour l'alimentation d'énergie mobile

Transistors de puissance d'astuce de 3DD13001B NPN TO-92 VCEO encapsulé en plastique 420V

Transistors de puissance d'astuce de TO-92 C945 VEBO 5V NPN à faible bruit

Tension de saturation de collecteur-émetteur de transistors de puissance d'astuce de SOT-89-3L B772 basse

Rendement élevé bas de la tension 6V d'émetteur de commutateur de transistor de D882M NPN

Les transistors de puissance d'astuce de MMBT4401 SOT-23 jeûnent la tension basse 6 V d'émetteur de commutation

2SA1015 commutateur de transistor de la puissance élevée PNP, circuit de transistor de l'astuce PNP

Matériel de silicium des transistors de puissance d'astuce de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

Numéro de la pièce	Paquet	Méthode de emballage	Quantité de paquet
A733	TO-92	Le volume	1000pcs/Bag
A733-TA	TO-92	Bande	2000pcs/Box

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	-60	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	-50	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	-5	V
JE _C	Courant de collecteur - continu	-100	mA
PC	Dissipation de puissance de collecteur	250	mW
TJ	La température de jonction	150	℃
Tstg	Jonction et température de stockage	-55~+150	℃

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) CBO	IC = -50UA, IE =0	-60			V
Tension claque de collecteur-émetteur	PRÉSIDENT DE V (BR)	IC = -1MA, IB =0	-50			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) EBO	IE = -50UA, IC =0	-5			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	VCB = -60V, IE =0			-0,1	uA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	VEB = -5 V, IC =0			-0,1	uA
Gain actuel de C.C	hFE	VCE = -6V, IC = -1MA	90	200	600
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (s'est reposé)	IC = -100mA, IB = - 10mA		-0,18	-0,3	V
Tension d'émetteur de base	VBE	VCE =-6V, IC =-1.0MA	-0,58	-0,62	-0,68	V
Fréquence de transition	pi	VCE =-6V, IC =-10MA	100			Mégahertz
Capacité de sortie de collecteur	Épi	VCB =-10V, IE =0, f=1MHZ			6	PF
Chiffre de bruit	N-F	VCE =-6V, IC =-0.3MA, Rg=10kΩ, f=100HZ			20	DB