Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension de collecteur-base	40	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur	30	V
VEBO	Tension d'Émetteur-base	6	V
IC	Courant de collecteur - continu	3
PC	Dissipation de puissance de collecteur	1,25	W
TJ	La température de jonction	150	℃
Tstg	Température de stockage	-55-150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Ventres =25 Š sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque de collecteur-base	V (BR) _CBO	IC = 100μA, IE =0	40			V
Tension claque de collecteur-émetteur	_PRÉSIDENT DE V (BR)	IC = 10mA, IB =0	30			V
tension claque d'Émetteur-base	V (BR) _EBO	IE = 100μA, IC =0	6			V
Courant de coupure de collecteur	ICBO	VCB = 40 V, IE =0			1	µA
Courant de coupure de collecteur	ICEO	VCE = 30 V, IB =0			10	µA
Courant de coupure d'émetteur	IEBO	VEB = 6 V, IC =0			1	µA
Gain actuel de C.C	hFE	VCE = 2 V, IC = 1A	60		400
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE (s'est reposé)	IC = 2A, IB = 0,2 A			0,5	V
Tension de saturation d'émetteur de base	VBE (s'est reposé)	IC = 2A, IB = 0,2 A			1,5	V
Fréquence de transition	pi	VCE = 5V, IC =0.1A f =10MHz		90		Mégahertz

CLASSIFICATION du hFE ₍₂₎

Rang	R	O	Y	LE GR
Gamme	60-120	100-200	160-320	200-400

Caractéristiques typiques

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
Symbole	Minute	Maximum	Minute	Maximum
	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TYPE		0,090 TYPES
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Inquiry Cart 0

Circuit de transistor de D882 NPN, tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance de NPN 30v